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AOS推出采用 Shield Gate 技术的最新 80V 功率 MOSFET 详情 »

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IGBTs

Part Number Status Package Configuration VCE (max) IC (max) VCE(sat)
(typ)
EON EOFF Qg VF Qrr Irm
25°C 100°C
V A A V mJ mJ nC V µC A
AOD5B65MQ1E Full Production TO252 IGBT with Anti-Parallel Diode 650 10 - 2.15 0.09 0.06 8.8 2.06 0.11 2.46

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