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AOS推出采用 Shield Gate 技术的最新 80V 功率 MOSFET 详情 »

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IGBTs

Part Number Status Package Configuration VCE (max) IC (max) VCE(sat)
(typ)
EON EOFF Qg VF Qrr Irm
25°C 100°C
V A A V mJ mJ nC V µC A
AOD6B65MQ1E Full Production TO252 IGBT with Anti-Parallel Diode 650 12 8 1.9 0.11 0.08 13.5 1.81 0.13 2.61

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