加利福尼亚州桑尼维尔,2026年7月7日——Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS,纳斯达克代码:AOSL)今日推出全新AOPL66801 80V MOSFET,该器件采用半桥配置,并搭载先进的DFN6x5 AmpStack™ MOSFET封装技术。这一突破性封装方案不仅实现了更高密度的设计自由度,更以其卓越的性能表现,全面赋能从下一代兆瓦级AI数据中心到日常电动工具等广泛功率转换场景。
AOS日前推出了一款采用先进封装技术的创新产品——AOPL66801 80V MOSFET,该产品通过垂直堆叠芯片技术,将上管与下管MOSFET巧妙集成于一体,构成高度紧凑的半桥电路。相较于传统采用两颗独立DFN5x6 MOSFET的方案,这一设计不仅将功率密度提升至全新高度,更大幅释放了宝贵的PCB布板空间,为系统小型化铺平道路。与此同时,AOPL66801针对开关节点特别优化了夹片(clip)设计,有效抑制上下管之间的寄生电感,显著降低由PCB寄生电感引发的相节点电压振铃现象,从而极大缓解MOSFET所承受的电气应力,为高功率密度应用场景提供了更稳健、更高效的功率转换解决方案。
针对PCB布局中寄生电感对栅极驱动性能及开关效率的潜在影响,AOPL66801集成了Kelvin检测引脚,可在高di/dt开关瞬态中确保栅极电压保持高度稳定,同时为上管提供更优化的驱动回路路径,从而有效降低功率损耗;此外,该器件支持高达175°C的最高结温,赋予其更出色的热可靠性与性能余量。这些先进特性在系统层面协同发力,不仅显著提升功率密度与运行效率,更为严苛的高功率应用场景提供了坚实而持久的性能保障。
AOS MOSFET产品线资深总监Peter H. Wilson表示:“对于致力于提升功率密度的设计工程师而言,我们全新推出的AmpStack™半桥封装无疑是一项革命性突破,其综合性能全面超越采用两颗DFN 5x6分立式封装的传统方案;同时,通过针对低源极寄生电感的优化封装设计,我们显著抑制了相位节点振铃现象并有效降低MOSFET承受的电气应力,这意味着客户在获得更高功率输出的同时,应用可靠性亦将得到实质性的跃升。”
| Part Number | Package | VDS (V) | VGS (±V) | RDS(ON) (mΩ max) at VGS = 10V | ID (A) | Ciss (pF) | Coss (pF) | Crss (pF) | Qg (nC) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOPL66801 | DFN 6x5 | High Side (Q1) | 80 | 20 | 2.2 | 304 | 4900 | 1400 | 34 | 70 |
| Low Side (Q2) | 80 | 20 | 2.2 | 215 | 4900 | 1400 | 34 | 70 | ||
目前,AOPL66801已正式进入全面批量供货阶段,标准交付周期为16周;1,000颗起购,单颗定价仅为6.16美元。