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AOS推出采用 Shield Gate 技术的最新 80V 功率 MOSFET 详情 »

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IGBTs

Part Number Status Package Configuration VCE (max) IC (max) VCE(sat)
(typ)
EON EOFF Qg
25°C 100°C
V A A V mJ mJ nC
AOBS30B65LN Full Production TO263 IGBT Discrete 650 60 30 1.86 0.74 0.33 52

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