日前,集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出新款AOLV66935 MOSFET,该产品采用LFPAK 8x8封装,具备100V宽范围安全工作区(SOA) ,专为满足AI服务器中不断增长的48V热插拔架构而设计。随着GPU/TPU性能持续提升,AI 系统对功率器件在性能、效率与可靠性方面提出更高要求。AOLV66935热插拔MOSFET不仅具备宽范围 SOA,还拥有极低的导通电阻,可有效应对这些挑战。
AOLV66935 采用AOS公司自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术,兼具沟槽工艺带来的低导通电阻与宽范围安全工作区(SOA)优势。该器件在 25°C 至 125°C 条件下均通过严格的 SOA 测试与验证,确保在严苛环境中仍具备高可靠性。该器件采用 LFPAK 8x8 海鸥翼封装,与传统 TO-263 (D2PAK) 封装相比,其占位面积减少 60%。结合先进的适用于大电流的铜夹片封装技术,可支持强大的脉冲电流能力。铜夹片结构与封装设计实现低热阻,进一步优化散热表现。该产品生产体系符合 IATF 16949 认证,LFPAK 8x8 封装亦全面兼容自动光学检测(AOI)要求。
此外,AOLV66935 MOSFET 具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在 Vgs=10V条件下最大额定值仅为 1.86 毫欧,有助于显著降低功耗与发热。结合其高电流能力与先进的封装设计,该器件在严苛工况下展现出优异的热循环稳健性,完全满足当前高性能 AI 服务器对功率器件在效率与可靠性方面的双重需求。
AOS MOSFET 产品线资深总监 Peter H. Wilson 表示:“AI服务器中的 48V 热插拔应用要求 MOSFET 兼具大电流处理能力,同时还要提供卓越的 SOA 稳健性和高可靠性。我们推出的AOLV66935正是针对这些严苛的应用需求而设计,该产品采用先进的 LFPAK 8x8 封装,具备宽范围SOA性能,并拥有极低的导通电阻,不仅有效降低导通损耗,还可减少所需并联器件数量,帮助设计人员在有限板级空间内实现更高效率的电源方案。”
| Part Number | Package | VDS (V) | VGS (±V) | TJ (°C) | Continuous Drain Current (A) | Pulsed Drain Current (A) | RDS(ON) Max (mOhms) @10V | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| @25°C | @100°C | @25°C | ||||||
| AOLV66935 | LFPAK 8x8 | 100 | 20 | 175 | 334 | 236 | 1336 | 1.85 |
AOLV66935 现可批量生产,交货周期为 14-16 周。1000 颗起订,单价为 3.6 美元。