日前,集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS,纳斯达克代码:AOSL)推出了两款新产品——AONC40202(25V MOSFET)和AONC68816(80V MOSFET)。这两款器件采用了先进的DFN 3.3x3.3双面散热封装技术,源极朝下的设计能够有效提升散热性能。它们专为AI服务器中的中间总线转换器(IBC)DC-DC应用而打造,旨在满足高功率密度需求,并应对数据中心对散热性能的严苛挑战。
AONC40202 和 AONC68816 采用了针对外露漏极触点进行优化的顶部夹片设计,显著增大了双面散热的有效面积,能够更迅速地将热量从散热器中导出,从而有效降低器件运行时的温度。相比传统的单面散热方案,双面散热技术能够从根源上减少热量的产生与热应力,成为设计人员在应对高功耗挑战时的理想选择。得益于配备的大型顶部夹片,这两款 MOSFET 的封装实现了极低的热阻值,其顶部热阻(Rthc-top)最大值仅为 0.9°C/W,确保了在高功率密度应用中的卓越热性能与可靠性。
此外,AONC40202 支持高达 405A 的持续电流,最高结温可达 175°C,这些出色的电气特性为系统级性能带来了多重提升,包括更高效的热管理能力、更高的功率密度支持以及整体运行效率的优化。其采用的“源极朝下”(Source-down)封装技术,不仅增大了 PCB 上的源极接触面积,有助于降低导通电阻和提升散热效果,同时栅极中置的布局设计也大幅简化了 PCB 布线,能够有效缩短栅极驱动器的连接路径,从而进一步提升开关性能和系统可靠性。
AOS MOSFET 产品市场资深总监 Peter H. Wilson 表示:“随着 AI 服务器对电源性能提出日益严苛的要求,我们推出的这两款最新 MOSFET 正是为了应对这一挑战。它们采用的双面散热 DFN 3.3x3.3 源极朝下(Source-down)封装技术,相较于传统封装方案,在降低功率损耗和提升散热效率方面表现尤为出色。不仅如此,AONC40202 和 AONC68816 还集成了最新的 AlphaSGT™ 硅技术。这种将增强型散热设计与先进硅技术相结合的创新方案,为 AI 电源设计人员提供了一种兼顾高功率密度、优异可制造性与长期应用可靠性的整体解决方案。”
| Part Number | Package | VDS (V) | VGS (±V) | TJ (°C) | Rthjc Max (C/W) | Continuous Drain Current (A) @25°C | Pulsed Drain Current (A) @25°C | RDS(ON) Max (mOhms) @10V | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Top | Bottom | ||||||||
| AONC40202 | DFN3.3x3.3A | 25 | 12 | 175 | 0.9 | 1.1 | 405 | 644 | 0.7 |
| AONC68816 | DFN3.3x3.3A | 80 | 20 | 175 | 0.9 | 1.1 | 119 | 476 | 4.7 |
AONC40202 和 AONC68816 MOSFET 现已正式进入量产供货阶段,标准交货周期为 14 至 16 周。以 1,000 颗为批量单位,AONC40202 的单价为 1.85 美元;AONC68816 的单价为1.95 美元。