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Alpha and Omega Semiconductor 推出DFN3.3x3.3源极朝下(Source Down)封装25V MOSFET,专为AI服务器电源优化

专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装,采用创新的栅极中置布局技术,可大幅简化 PCB 走线设计

日前,集设计研发、生产和全球销售为体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出采用DFN3.3x3.3源极朝下(Source Down)封装技术的AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计,可完美满足AI服务器和数据中心电源系统的严苛需求。AONK40202的创新源极朝下封装技术,使源极与PCB有较大的接触面积从而优化散热与电气性能,同时其栅极中置布局简化了PCB上走线设计,最大限度地减少栅极驱动器连接,进一步提升能效与系统可靠性。

AONK40202 MOSFET 具有出色的电流处理能力,其采用带夹片(Clip)的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装技术,可提供高达 319A 的持续电流,最高结温高达 175°C。这一设计为系统级性能带来显著提升,不仅能优化散热表现,还可实现更高的功率密度和能效水平。

AOS MOSFET 产品市场资深总监 Peter H. Wilson 表示:“AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极朝下(Source Down)封装技术,相比传统的漏极朝下(Drain Down)封装解决方案,降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能,为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势。AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案”。

技术亮点

Part NumberPackageVDS (V)VGS (±V)TJ (°C)Continuous Drain Current (A)Pulsed Drain Current (A)RDS(ON) Max (mOhms) @10V
@25°C@100°C@25°C
AONK40202DFN3.3x3.3B25121753192246440.7

 

报价与供货

AONK40202 现已正式量产,可立即供货,交期为 14-16 周。1000颗起订,单价为 1.65 美元。