AOS推出DFN3.3x3.3源极朝下(Source Down)封装25V MOSFET,专为AI服务器电源优化
SiC 1200V肖特基二极管专为高频和高功率密度的应用而设计,它具有极低正向压降(VF)和零反向恢复电荷(Qrr), 其用来替代传统的硅二极管,可以显著降低损耗并提高系统效率。
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