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AOBT020V120X3Q

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Status: New

SiC MOSFET作为第三代功率半导体,由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力,使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的性能。SiC MOSFET目标应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。SiC MOSFET“Q”系列产品,完全符合AECQ-101标准,专为eV 车载充电器 (OBC) 和逆变器而开发,非常容易使用。

Parametrics
Status
New
Package
T2PAK-7L
VDS (V)
1200
Technology
Gen3
ID @ 25°C (A)
114
Qualification
Automotive
RDS(ON) typ (mΩ)
20
VGS,OP (V)
18
Tj max (°C)
175
Parametrics
Status
New
Package
T2PAK-7L
VDS (V)
1200
Technology
Gen3
ID @ 25°C (A)
114
Qualification
Automotive
RDS(ON) typ (mΩ)
20
VGS,OP (V)
18
Tj max (°C)
175
Documentation
TitleTypeDateFile
AOBT020V120X3Q Datasheet
Datasheets2026-06-19PDF
AOBT020V120X3Q Marking
Markings2025-11-19PDF
T2PAK_7L
Package2025-10-03PDF
T2PAK_7L Tape & Reel
Tape & Reel2025-10-14PDF
Package Details
Package NameDimensionsPackage SpecificationsPackaging Method
T2PAK_7L 11.80x14.00x3.50PDFTape and Reel